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        Si

          硅靶一般可以分為單晶和多晶兩種類型。采用直拉晶體生長技術制造單晶,多晶靶材,晶粒均勻,直徑可以達到200mm以上,可以加工成長方形,圓形等各種形狀,還可以根據用戶圖紙加工特殊尺寸要求的靶材。

         

        產品指標性能參數
        密度

        2.33g/cm3

        熔點163.3W/(m.K) at 273k
        熱導率4.15*10-6 / ℃
        楊氏模量131Gpa
        剪切模量
        79.9 Gpa
        材料純度>99.999%
        生長方法直拉(CZ)
        晶相P or N
        金屬雜質含量(Al/Fe/Ca/Mg/Cu/Co/Ni/Cr/Mn/Ti/Na/K//P/W/Mo/Zn/Sn):<2ppm
        長*寬可定制
        厚度
        可定制


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