硅靶一般可以分為單晶和多晶兩種類型。采用直拉晶體生長技術制造單晶，多晶靶材，晶粒均勻，直徑可以達到200mm以上，可以加工成長方形，圓形等各種形狀，還可以根據用戶圖紙加工特殊尺寸要求的靶材。
| 產品指標 | 性能參數 |
| 密度 | 2.33g/cm3 |
| 熔點 | 163.3W/(m.K) at 273k |
| 熱導率 | 4.15*10-6 / ℃ |
| 楊氏模量 | 131Gpa |
剪切模量
| 79.9 Gpa |
| 材料純度 | >99.999% |
| 生長方法 | 直拉（CZ） |
| 晶相 | P or N |
| 金屬雜質含量 | （Al/Fe/Ca/Mg/Cu/Co/Ni/Cr/Mn/Ti/Na/K//P/W/Mo/Zn/Sn）：<2ppm |
| 長*寬 | 可定制 |
厚度
| 可定制
|
